مقدمه .........................
ليتوگرافي نوري كه روش غالب در الگوسازي از ابتداي عصر نيمه هادي ها بوده است ، اين قابليت را دارد كه با استفاده از طول موج هاي بسيار كوتاه ( 193 نانومتر در ليزر
(ArF الگوهاي زير 100 نانومتر را ايجاد كند. به علاوه با برخي اصلاحات در اصل روش مثل استفاده از ماسكهاي انتقال فازي يا استفاده از محيط مايع )در ليتوگرافي غوطه وري
) مي توان قدرت تفكيك را به 32 نانومتر افزايش داد.
البته متخصصين بر اين باورند كه ليتوگرافي نوري با طراحي فعلي براي ابعاد زير 30 نانومتر مقرون به صرفه نخواهد بود و بهتر است با تكنيك هاي نوين ليتوگرافي جايگزين گردد.
اصول فيزيكي و كليات ......................
در اين روش از يك پرتو نور براي انتقال دادن يك الگوي هندسي از ماسك به يك ماده مقاوم در برابر نور يا لايه محافظ كه روي يك ويفر پوشش داده شده است استفاده مي شود
پس از تابش ديدن و انتقال الگو، يك مجموعه فرآيند هاي شي ميايي باعث انتقال الگوي مذكور به ويفر مي شود.
در ساخت يك الگوي پيچيده مثل يك مدار مجتمع یا IC پیشرفته ممكن است ويفر بيش از 50 مرتبه وارد فرآيند ليتوگرافي نوري شود. ليتوگرافي نوري اصول ساده اي دارد كه
شبيه عكاسي مي باشد. اين روش كنترل مناسبي بر شكل و اندازه الگوهاي ايجاد شده دارد و قابليت چاپ همزمان الگو در تمام سطح ويفر را داراست كه اين سرعت بالايي
به روش مي دهد .