khanom gool 18 اشتراک گذاری ارسال شده در 29 آذر، ۱۳۹۳ لدفا 1:sad0:شباهت ها و تفاوت های پیوند پله ای و تغییرات تدریجش 2:ws52:چرا جرم موثر الکترون ها و حفره ها برای نیمه هادی ها یکسان نیس 3:5c6ipag2mnshmsf5ju3مفهوم ثابت زمانی مربوط به حامل های اقلیت چیست به چه عاملی بستگی دارد و چطور کنترل میشود 2 لینک به دیدگاه
farivar.maryam 1226 اشتراک گذاری ارسال شده در 30 آذر، ۱۳۹۳ لدفا 1:sad0:شباهت ها و تفاوت های پیوند پله ای و تغییرات تدریجش 2:ws52:چرا جرم موثر الکترون ها و حفره ها برای نیمه هادی ها یکسان نیس 3:5c6ipag2mnshmsf5ju3مفهوم ثابت زمانی مربوط به حامل های اقلیت چیست به چه عاملی بستگی دارد و چطور کنترل میشود با سلام من یه مقداری در این زمینه اطلاعات دارم امیدوارم بتونه کمکتون کنه 1- در مورد پیوند پله ای باید بگم که ساده ترین پیوند پله ای یه اتصال p-n هستش که یه فایل براتون میذارم که کامل نحوه ایجاد و روابط و مولفه های جریانی رو توش بررسی کرده اما من منظورتون رو از تغییرات تدریجی و ... متوجه نشدم اگه دقیق تر بگید چی میخواهید شاید بتونم کمکتون کنم برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 4 لینک به دیدگاه
farivar.maryam 1226 اشتراک گذاری ارسال شده در 30 آذر، ۱۳۹۳ در مورد جرم موثر الکترون و حفره تا اونجا که من میدونم اول که توی یه نیمه هادی جرم موثر حفره بیشتر از جرم موثر الکترون هستش و حفره ها خودشون هم حفره سنگین دارن هم حفره سبک یعنی همه حفره ها هم جرم یکسانی ندارن . توی یه ماده چگال حالات کوانتومی بررسی میشه که الکترون ها به صورت چاه و سد پتانسیل مدل میشن و روابطشون با استفاده از معادلات موج شرودینگر به دست میاد. این روابط همون حالات کوانتومی انرژی یا احتمال پر شدن ترازهای انرژی توسط الکترون ها و به جا موندن حفره ها هستش . ارتفاع این چاه و سد پتانسیل و فاصله بین ترازهای انرژی روی جرم موثر الکترون و حفره اثر داره و این باعث شده تا مقدار جرم موثر الکترون و حفره تو نیمه هادی های مختلف متفاوت باشه این لینک رو هم ببینی بد نیس برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 2 لینک به دیدگاه
ارسال های توصیه شده