رکورد بالاتری فرکانس مدار شکسته شد

[مجید بهره مند 43111]

محققین

برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید.

• ورود
• یا
• ثبت نام

و تگزاس اینسترامنتس فرکانس-بالاترین مدار جهان را با استفاده از نوع معمولی ترانزیستور نیمه هادی ساختند.

به گزارش الکترونیوز و به نقل از ساینسدیلی، این رکورد جدید توسط مهندسین دانشگاه فلوریدا و TI در ششم فوریه درکنفرانس بین المللی مدارات حالت جامد (ISSCC) در سان فرانسیسکو ارائه شد.

کن او، استاد مهندسی برق و کامپیوتردانشگاه فلوریدا، گفت که تیم وی یک مدار 410 گیگاهرتزی را با استفاده ازتکنولوژی CMOS به جهان عرضه کرده است.

با اندازه گیری های انجام شده درآزمایشگاه دانشگاه فلوریدا با استفاده از مداری مجهز به یک آنتن به اندازهی نوک قلم، مشخص گشت که این مدار 410 گیگاهرتزی رکورد قبلی مدارات CMOSیعنی 200 گیگاهرتز را که در فوریه ی 2006 بدست آمده بود، شکسته است. مهمتر از آن، این رکورد حدود 60 گیگاهرتز بالاتر از رکورد قبلی است که بااستفاده از تکنولوژی جایگزین اما گران تر ایندیم فسفاید بدست آمده بود.تکنولوژی صنعتی پیشرفته ی تگزاس اینسترامنتس، که با نام فرایند 45نانومتری CMOS شناخته شده است، پایه و اساس این مدار جدید را تشکیل می دهد.

کن او، مدیر این پروژه، گفت: "احتمالادر 30 سال اخیر، این اولین باری است که یک مدار سیلیکونی، فرکانس کاریبالاتری نسبت به مدارت مبتنی بر ایندیم فسفاید یا ترکیبات مشابه آن از خودنشان می دهد. این امر بسیار هیجان انگیز است چرا که اگر شما بتوانیداینگونه مدارات را بسازید، بنابراین قار خواهید بود سیستم های آشکارسازی وتصویربرداری ارزان تری برای برخی از کاربردها بسازید. نتیجه ی این امرموجب کاهش هزینه ی این سیستم ها تا 100 برابر یا بیشتر خواهد بود."

مدارات فرا فرکانس بالا، پیش از اینساخته شده بودند، اما تنها با مواد عجیب و غریبی که ساخت آن ها بسیارهزینه بردار است. بر خلاف این، CMOS فرایند استانداردی است که در عمده یمدارات در صنعت مدارات مجتمع از آن استفاده می شود. این روش راه را برایتولید انبوه و توزیع مدارات فرکانس بالا باز می نماید.

پروفسور کن او اظهار داشت: "بابکارگیری تکنولوژی پیشرفته ی TI برای ساخت این مدار، دانشگاه فلوریدا و TIنشان دادند که با استفاده از CMOS امکان واقعی این کار وجود دارد که ما تاپنج سال آینده قادر به انجام آن خواهیم بود."

کاربردهای این مدار جدید برای مثالشامل تجهیزات مانیتورینگ محیط می شود که با دقت زیادی حساس به آلودگی،گازهای مهلک یا عوامل بیوتروریسم می باشند. در تصویربرداری، مدارات فرکانسبالا روش هایی را ممکن می سازند که می تواند به داخل لباس افراد نفوذ کردهو سلاح های مخفی یا مواد منفجره ی پلاستیکی را مشاهده نماید. این مدارهمچنین می تواند در تجهیزات پزشکی استفاده شده و تشخیص زودتر سرطان هایپوست و دیگر سرطان ها را آسان تر نماید، و نیز در سیستم های صنعتی که روکشروی قرص ها را بررسی می کنند تا از ضخامت مناسب و یکنواختی آن ها مطمئنشوند.

تکنولوژی فرایند 45 نانومتریتوان-پائین TI شامل برخی از روش هائی می شود که پردازنده هایی با چندمیلیون ترانزیستور و مقرون به صرفه به بازار ارائه می دهد. این پردازندهها کارائی بالا و مصرف توان پائینی دارند که برای پردازش کاربردهایپیشرفته بسیار مورد نیاز است. همچنان که این تکنولوژی در جهت افزایش عمرباتری در محصولات قابل حمل طراحی می شود، در عین حال کارائی بالائی برایانجام اعمال پیشرفته ی چند رسانه ای در یک طراحی فوق مجتمع از خود نشان میدهد.