Adel00 5292 اشتراک گذاری ارسال شده در 12 مهر، ۱۳۹۲ ساخت آلیاژ جدید برای نسل آتی حافظه‌های اطلاعاتی دانشمندان موفق به ساخت آلیاژ الکترونیکی جدیدی شده‌اند که شامل 50 اتم آلومینیوم می‌شود که در کنار 50 اتم عنصر آنتیمون قرار گرفته‌اند و به کمک آن می‌توان نسل آتی سیستم‌های حافظه‌ای تغییر – فازی را تولید کرد. به گزارش فارس به نقل از سلولار – نیوز، بر اساس گزارش منتشر شده در آخرین شماره از نشریه بین‌المللی Applied Physics Letters، کارشناسان از این آلیاژ جدید با عنوان نسل آتی فناوری ذخیره‌ساز اطلاعات یاد می‌کنند. حافظه‌های تغییر – فازی بر پایه موادی به تولید می‌رسند که از یک بی‌نظمی حاصل می‌‌شوند. در این فرآیند ساختار بی‌نظم در یک ساختار کریستالی مورد استفاده قرار می‌گیرد تا پالس‌های الکتریکی به درستی دریافت شوند. این ماده جدید در ساختار بی‌نظم خود مقاومت الکتریکی بالایی دارد و در ساختار کریستالی مقاومت الکتریکی آن بسیار پایین می‌آید. فرآیند ارسال پالس‌ها در این ماده جدید بر اساس سیستم باینری صفر و یک دنبال می‌شود. در حال حاضر حافظه‌های فلش برای آنکه کوچکتر از 20 نانومتر شوند مشکلات فراوانی دارند. اما دانشمندان اعلام کرده‌اند که ماده جدید محدودیت و مشکلات حافظه‌های فلش را به راحتی از بین می‌برد. منبع: iran ieee لینک به دیدگاه
ارسال های توصیه شده