z.b 6335 اشتراک گذاری ارسال شده در 2 مرداد، ۱۳۹۲ یک گروه تحقیقاتی به رهبری لیانگ بینگ هو از دانشگاه مریلند، ترانزیستورهایی با استفاده از نوعی خاصی از نانوکاغذ ساخته‌اند. این محققان نشان داده‌اند ترانزیستورهای اثر میدانی آلی انعطافپذیر (OFET) را می‌توان با شفافیت بالا و خواص مکانیکی عالی، با نانوکاغذهای مناسب ساخت. یک گروه تحقیقاتی به رهبری لیانگ بینگ هو از دانشگاه مریلند، ترانزیستورهایی با استفاده از نوعی خاصی از نانوکاغذ ساخته‌اند. این محققان نشان داده‌اند ترانزیستورهای اثر میدانی آلی انعطافپذیر (OFET) با شفافیت بالا و خواص مکانیکی عالی، را می‌توان با نانوکاغذهای مناسب ساخت. اخیرا، کاغذهای سلولزی به علت وزن سبک، هزینه کم، همه کاره بودن و قابلیت چاپ قطعات الکترونیکی به صورت غلتک به غلتک، برای جایگزینی لایه‌های پلاستیکی مورد توجه قرار گرفته‌اند. محققان پیش از این انواع مختلفی از وسایل مانند باتری‌ها، پیل‌‌های خورشیدی و یا برچسب‌های RFID را بر روی کاغذها چاپ کرده‌اند. برای کاربردهای اینچنینی، نانوکاغذهای شفاف نسبت به کاغذهای معمولی و لایه‌های پلاستیکی برتری‌های فراوانی دارند. نانوکاغذهای ساخته شده از سلولز (مانند کاغذهای سنتی)، نسبت به کاغذهای رایج، زبری کمتر و شفافیت بیشتری دارند. این خاصیت به علت استفاده از الیاف سلولزی نانومقیاس برای ساخت‌شان است. با توجه به فرآیند ساخت قطعات الکترونیکی و در مقایسه با لایه‌های پلاستیکی، مزیت اصلی نانوکاغذها، پایداری حرارتی بهتر و در حقیقت تحمل حرارت بیشتر در حین فرآیند ساخت، نسبت به پلاستیک‌ها است. تصویری از یک ترانزیستور نانوکاغذی شفاف و انعطافپذیر. نانوکاغذ خود شفاف بوده و به منظور اینکه بیشترین شفافیت دستگاه حفظ شود، مواد نیمه‌رسانا مورد استفاده هم باید شفاف باشند. برای رسیدن به این هدف، این محققان از یک فیلم نانولوله کربنی تک‌جداره با رسانایی بسیار بالا بعنوان الکترود گیت شفاف در این ترانزیستور استفاده کردند. در این ترانزیستور به جای استفاده از فیلم‌های اکسیدی رسانا و شفاف از فیلم نانولوله کربنی استفاده شد، زیرا فیلم‌های اکسیدی شفاف ترد هستند و می‌توانند در حین فرآیند تولید ترک بردارند. علاوه بر این، فیلم نانولوله کربنی را می‌توان با روش‌های مختلف و ارزان قیمت مانند پوشش‌دهی میله‌ای رسوب داد، در حالی که رسوب فیلم اکسیدی شفاف نیازمند روش‌های گران مانند رسوب‌دهی در خلاء و آنیلینگ در دمای بالا است. این OFETهای نانوکاغذی، مشخصات الکترونیکی ترانزیستوری خوبی از خود نشان داده‌اند. برای نشان دادن انعطاف‌پذیری این ترانزیستورهای نانوکاغذی، تحرک الکترون قبل و در حین خم‌شدن اندازه‌گیری شد. تنها ده و دو دهم و نه و هشت دهم درصد کاهش در تحرک الکترون‌ها به ترتیب زمانی که قطعه در جهت موازی با جهت کانال انتقال و عمود بر جهت کانال انتقال خم شد، مشاهده گردید. این خواص عالی نوری، مکانیکی و الکتریکی نشان‌دهنده پتانسیل بالای OFETهای نانوکاغذی در نسل بعدی وسایل الکترونیکی انعطافپذیر و شفاف و در گسترده وسیعی از دیگر کاربردهای مقرون به صرفه و عملی است. این محققان جزئیات نتایج کار تحقیقاتی خود را در مجله‌ی ACS Nano منتشر کرده‌اند. منبع : برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام ؛ ستاد ویژه توسعه فناوری نانو 2 لینک به دیدگاه
ارسال های توصیه شده