.sOuDeH. 16059 اشتراک گذاری ارسال شده در 12 اسفند، ۱۳۹۱ ترانزیستور های دو قطبی با گیت ایزوله (IGBT) IGBT یک توسعه نوین در حوزه ی تکنولوژی ماسفت می باشد. این المان ، مزایای Mosfet و BJT را با هم ترکیب نموده است. لذا یک IGBT همانند ماسفت دارای امپدانس ورودی بالا می باشد و مشابه BJT، تلفات توان هدایتی کمی دارد. بعلاوه، IGBT فارغ از پدیده ی شکست ثانویه است که در BJT وجود دارد. IGBT بعنوان یک ترانزیستور فلز اکسید با گیت ایزوله نیز شناخته می شود(MosIGT) یا ترانزیستور اثر میدانی با مدولاسیون هدایتی (COMFET) و یا ترانزیستور اثر میدانی با مدولاسیون بهره نیز خوانده می شود. همچنین در ابتدای ظهور، ترانزیستور با گیت ایزوله (IGT) نامیده شد. [برگرفته شده از جزوه الکترونیک صنعتی استاد عزیزم دکتر ابوترابی از دانشگاه شهید منتظری مشهد] نحوه تست ترانزیستور های IGBT با مولتی متر دیجیتالی: برای تست IGBT یک کلیپ رو در ادامه مطلب قرار دادم.این کلیپ درسته به زبان انگلیسی هست ولی چون به صورت عملی فرایند تست انجام می شه کاملا متوجه نحوه تست خواهید شد . .: برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام :. 1 لینک به دیدگاه
ارسال های توصیه شده