pesare baba 2250 اشتراک گذاری ارسال شده در 14 شهریور، ۱۳۹۱ محققان آزمایشگاه ملی لاورنس برکلی با همکاری «امین یوردخانی» محقق ایرانی، موفق به تهیه نخستین نقشه در مقیاس اتمی از ساختار فتوالکتریک در درون نانو بلورها شدند که می تواند به توسعه نسل آتی دستگاه‌های ذخیره‌سازی داده‌ها منجر شود. به گزارش ایسنا، برای انجام این آزمایش از قوی‌ترین میکروسکوپ انتقال الکترونی آزمایشگاه برکلی (TEAM I) استفاده شد که می‌تواند تصاویری از ساختار نانو ذرات با قطر کمتر از یک و یک دوم انگستروم تهیه کند. محققان موفق به نقشه برداری ساختار فروالکتریک در نانو ذرات «ژرمانیوم تلورید» به عنوان یک نیمه هادی و نانو ذرات «تیتانات باریم» به عنوان عایق شدند. سپس نقشه های تهیه شده از الگوهای فتوالکتریک درون نانو ذرات ژرمانیوم تلورید با مطالعات هولوگرافی الکترون نانو ذرات عایق تیتانات باریوم مورد مقایسه قرار گرفتند. «پل الیویساتوس»، مدیر آزمایشگاه برکلی تأکید می کند: برای کاهش تدریجی فناوری دستگاه ها از مقیاس میکرو به مقیاس نانو، نیاز به درک بهتر در خصوص خواص مواد مانند رفتار فروالکتریک داریم. پیشرفت های کمی در حوزه درک فیزیک پایه نانو مواد فروالکتریک صورت گرفته است و تهیه این نقشه می تواند مسیر جدیدی برای استفاده از خواص فروالکتریسیته در مقیاس نانو فراهم می کند. فروالکتریسیته خاصیتی در مواد است که باعث به وجود آمدن دوقطبی الکتریکی می شود. این قطب بندی را می توان با استفاده از یک میدان الکتریکی خارجی ایجاد کرد؛ ویژگی‌ای که می تواند برای ذخیره سازی داده ها در مقیاس نانو مورد استفاده قرار بگیرد. نتایج این تحقیق در مجله Nature Materials منتشر شده است. 1 لینک به دیدگاه
ارسال های توصیه شده