Mehdi.Aref 26780 اشتراک گذاری ارسال شده در 26 آبان، ۱۳۸۹ برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام و تاريخچه ويليام تامپسون و بعداً لورد كلوين، براي اولين بار اثر مگنتور زيستيو در سال 1856 در مواد فرومغناطيسي مشاهده نمودند. اين كشف تا حدود 100 سال بعد كه تكنولوژي ساخت فيلم هاي نازك بدست آمد بدون استفاده باقي ماند. همانطور كه از نام آن برمي آيد ، با تغيير ميدان مغناطيسي مقاومت الكتريكي اين مواد تغيير مي كند. در بيشتر مواد مغناطيسي، زماني که يک ميدان مغناطيسي اعمال مي شود و( H ) عمود بر جهت جريان باشد مقاومت الکتريکي کاهش مي يابد. کاهش مقاومت در ازاي افزايش چگالي شار مغناطيسي( B ) است و تا زماني که ماده به اشباع برود ادامه مي يابد. وقتي ميدان مغناطيسي موازي جهت جريان الکتريکي است با افزايش شدت ميدان مغناطيسي مقاومت افزايش مي يابد. به اين پديده مگنتورزيستيو(MR ) مي گويند. اين پديده نتيجه دو عمل است: 1- کاهش سرعت حاملهاي مقدم به سبب مجبور شدن حاملها به حرکت از يک طرف. 2- کاهش مقطع عرضي مؤثر هادي به سبب حرکت گروهي حاملها در يک طرف. در حقيقت: (Resistivity = Voltage / ( Carrier density * Carrier velocity برمبناي اندازه تغييرات مقاومت الكتريكي در ازاي تغيير ميدان مغناطيسي به سه دسته تقسيم مي شوند : lAnisotropic Magnetoresistive (AMR) برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام پركاربرد ترين دسته سنسورهاي MR ، دسته AMR مي باشد كه پهناي باند بين 1 - 5 مگاهرتز دارند و عكس العمل آنها بسيار سريع است. كاربرد هاي MRسنسورهاي در هدهاي خواندن نوارهاي صوتي، سرعت چرخ اتومبيل و ميل لنگ، در ناوبري، شناسايي وسيله نقليه (Vehicle Deteetion) وسنسورهاي جريان و ... مي باشد. 4 لینک به دیدگاه
Mehdi.Aref 26780 مالک اشتراک گذاری ارسال شده در 26 آبان، ۱۳۸۹ تـــئـــــوري با توجه به كاربرد وسيع AMR ها در صنعت به بيان اساس و تئوري اين دسته مي‌پردازيم . سنسورهايAMR مي توانند ميدانهاي استاتيك را از نظر قدرت و جهت ميدان احساس كنند. اين سنسورها از فيلم نازك پرمالوي قرار گرفته بر يك ويفرسيليكن تشكيل مي شود.پرمالوي آلياژي است از آهن و نيكل. در طول ساختن AMR يك ميدان مغناطيسي قوي برآن اعمال مي كنند كه موجب جهت گيري حوزه ها و تشكيل بردار مغناطيسي شوندگي در پرمالوي مي شود. بردار مغناطيسي شوندگي موازي با طول AMR قرار مي گيرد. اگر جرياني از AMR با زوايه 45درجه نسبت به طول قطعه عبور نمايد، زوايه اي(q) بين بردار مغناطيسي شوندگي و جريان پديد مي آيد مقاومت AMR زماني كه جريان موازي بردار مغناطيسي شوندگي باشد بيشترين مقدار را خواهد داشت. زماني كه يك ميدان مغناطيسي خارجي بر AMR عمل كند بردار مغناطيسي شوندگي مي چر خد و q تغيير مي كند. اين امر باعث تغيير مقاومت و در نهايت باعث تغيير ولتاژ خروجي در مدار پل مي شود. شكل زير تغييرات مقاومت را به ازاي تغيير زوايه qنشان ميدهد. محدوده خطي پيرامون زوايه 45° است. روش توليد جريان با زوايه Barber Pole Biasing ، 45° ناميده مي شود. در اين روش برمبناي شكل بالا در AMR و در عرض آن از مانعهاي كوتاهي (Shorting Bar) با مقاومت كم استفاده ميشود. از آنجائيكه اين مانعها با زوايه 45° قرار گرفته اند و نيز جريان مسير با حداقل مقاومت را طي مي كند، جريان با زوايه45° از طول AMR عبور مي كند. شكل نشان داده شده AMR چهار را در مدار پل نشان مي دهد.حساسيت اين سنسورها در محدوده ميلي ولت به ازاي اعمال يك اورستد ميدان و يك ولت تغذيه مدار پل مي باشد. 3 کاربرد عملي براي افزايش حساسيت سنسور هاي مگنتورزيستيو وجود دارد. 1- سنسور و ميدان مغناطيسي بايد در يك ميدان مغناطيسي باشند. 2- فاصله هوايي بين سنسور و ميدان مغناطيسي به حداقل ممکن برسد تا سطح گوسي بر سنسور افزايش يابد. 3- شدت ميدان مغناطيسي افزايش يابد. نكته مهم در مورد AMR سنسور اين است كه در صورت قرار گيري در يك ميدان مغناطيسي آشفته بردار مغناطيسي شوندگي ( هم سويي حوزه‌هاي مغناطيسي ) از بين مورد. جهت بازسازي اين بردار از يك ميدان مغناطيسي قوي استفاده مي كنيم. كافي است تا AMR درحدود 10 نانو ثانيه تحت اين ميدان قرار گيرد. شکل زير در صد تغييرات dR/R شكل زير يک ماده مگنتورزيستيو را در حضور يک ميدان خارجي نشان مي دهد. طبق اين شکل ميدان مثبت يا منفي تاثير يکساني در تغيير مقاومت ماده دارد. در عين حال يک منطقه خطي در اين شکل ديده مي شود. توجه داشته باشيد که اين خاصيت داراي منطقه اشباع مي باشد. ( تقريبا 80 گاوس ) مواد فرو مغناطيسي داراي جزء مغناطيسي در واحد حجم مي باشند که کميتي برداري است که براي هر نقطه تعريف مي شود. چرخش اين بردار مغناطيس شوندگي از راستاي جريان الکتريکي در حضور يک ميدان مغناطيسي خارجي منجر به تغيير در مقاومت مي شود. براي کاربرد حساس به جهت، لايه مورد نظر را در منطقه خطي قرار مي دهيم سپس با تغيير جهت ميدان خارجي باعث تغيير جهت بردار مغناطيس شوندگي نسبت به جريان شويم و يا جهت جريان را نسبت به جهت بردار مغناطيس شوندگي تغيير دهيم. شکل زير يک لايه نازک، طولاني از پرمالوي را که جريان از آن مي گذرد نشان مي دهد. وقتي ميدان خارجي بر اين ماده اعمال شود مقاومت با ضريب Sin ( زاويه بين بردار جريان I بردار مغناطيس کنندگي M است. ) تغيير مي کند. 4 لینک به دیدگاه
Mehdi.Aref 26780 مالک اشتراک گذاری ارسال شده در 26 آبان، ۱۳۸۹ در سال 1988 پديده ديگري مشاهده شد كه در آن تغيير مقاومت براثر ميدان مغناطيسي بيش از 70% بود در مقايسه با تغيير مقاومت كوچك AMR ها، اين پديده را GMR ناميده اند. ساختار هاي چند لايه از مواد عجيب ( گاها تا10 لايه ) منجر به توليد دسته اي ديگر از مواد مگنتور زيستيو شده است که خاصيت MR بزرگتري از خود نشان مي دهند و تحت ميدان هاي بزرگتري به اشباع مي روند. به اين دسته از MR ها (GMR) Giant Magnetoresistive مي گويند. مقاومت 2 لايه نازك از مواد فرو مغناطيسي كه بوسيله يك لايه از مواد غير مغناطيسي ازهم جدا شده اند، بر مبناي موازي بودن يا ناموازي بودن بردارهاي مغناطيس شوندگي تغيير مي كند. يكي از لايه هاي مغناطيسي به سختي مغناطيسي مي شود و همانند يك آهنرباي دائمي نيز باقي مي ماند. لايه مغناطيسي ديگر به راحتي مغناطيسي مي شود. وقتي اين لايه ها داراي بردارهاي مغناطيس شوندگي موازي هم باشند، داراي پراكندگي كمي در فاصله ميان لايه مي باشند و در نهايت مقاومت GMR در كمترين مقدار قرار دارد. در حالت بردارهاي غير موازي، پراكندگي در بيشترين مقدار آن است و درنتيجه داراي بيشترين مقدار مقاومت مي باشد. زماني كه بردار مغناطيس شوندگي لايه دوم (Soft) براثر تغيير جهت ميدان مقاومت متناسب با زوايه بين بردارهاي مغناطيس شوندگي تغيير مي كند. بنابراين سنسور مي تواند زماني كه يك آهنرباي دايمي در بالاي سنسور قرار گيرد جهت اندازه گيري تغيير زوايه يك شفت به كار آيد. رزولوشن با اين طرح تنها بر مبناي هيسترزين موجود براي حركت هاي ساعتگرد و پاد ساعتگرد به 2 درجه محدود مي شود. بوسيله 2 سنسور كه عمود برهم قرار گيرند موقعيت مطلق را ميتوان بدست آورد. حساسيت اين نوع سنسور ها با توجه به ميدان مغناطيسي خارجي تعيين مي شود، چرا كه ميدان خارجي بايد به حدي قوي باشد تا لايه نرم را مغناطيسه كند ولي نبايد به حدي باشد كه بر بردار مغناطيس شوندگي لايه سخت تاثير بگذارد. اين ميدان در بازه 200G - 50G مي باشد. ضخامت اين لايه به حد نانومتر مي باشد. كاربردهاي GMR 1 - سنسورهاي مجاورتي 2 - سنسورهاي موقعيت CMR: اين مواد از GMR هم پيشي گرفته اند و زماني كه در يك ميدان بزرگ و شرايط دمايي نيتروژن مايع (درحدود 190°C ) قرار گرفته باشد، تغييرات مقاومتي در حدود 103 تا %108 ايجاد مي كند. به تازگي درتحقيقات توانسته اند تا GMR را نيز دردماي معمولي استفاده كنند. كاربرد چنداني در صنعت نداشته و تنها در آزمايشگاه ها استفاده مي شود. 3 لینک به دیدگاه
Mehdi.Aref 26780 مالک اشتراک گذاری ارسال شده در 26 آبان، ۱۳۸۹ مقايسه حال به مقايسه اي ميان اثرهال در سيليكن و نيز اثر مگنتور زيستيو در پرمالوي مي پردازيم. هر دو تكنولوژي قابل مجتمع شدن در يك چيپ مي باشند. هر دو براي ميدان مغناطيسي تغيير ناپذير با زمان ايجاد مي شوند و پاسخ سريع دارند. بار بيشتر نسبت به اثرهال حساس است و حساسيت آن مطابق با ضخامت و پهناي انتخابي فيلم است. سنسورهاي MR وقتي با آهنرباي حلقه اي (جهت شمارش) بكار مي روند، روزولوشن سنسور 2 برابر مي شود. كه اين خاصيت در اثرهال موجود نمي باشد. سنسورهاي اثرهال داراي خاصيت خطي بيشتري هستند و داراي منطقه اشباع نيز(حتي تحت ميدان مغناطيسي بزرگ) نمي باشند. سنسورهاي اثرهال به ميدان هاي عمود بر خود و سنسورهاي MR به ميدان هاي موازي با خود پاسخ مي دهند. در شكل زير ميدان كاري چند تكنولوژي اي كه تا كنون مطالعه كرده ايم را نشان مي دهد. همانطور كه ملاحظه مي شود ميدان كاري AMR كوچكتر از ميدان لازم براي GMR و هال مي باشد. 3 لینک به دیدگاه
Mehdi.Aref 26780 مالک اشتراک گذاری ارسال شده در 26 آبان، ۱۳۸۹ كـــــاربـــرد ها اين سنسور ها براي پيدا كردن اشياء مغناطيسي در هواپيماها، قطار واتومبيل ها كه ميدان مغناطيسي زمين را به هم مي زنند به كار مي روند. از كاربردهاي ديگر آنها در قطب نماي مغناطيسي، سنسورهاي زوايه اي و چرخشي موقعيت، رديابي و هدايت مته در زير زمين مي تواند يادكرد. برخلاف ديگر سنسورهاي AMR سنسور موقعيت AMR بايد توسط ميدان خارجي به حالت اشباع در آيد يعني با افزايش بزرگي ميدان تغييري در مقدار مقاومت AMR پديد نيايد و تنها عاملي از موقعيت ميدان بر مبناي زاويه حاصل بين بردارمغناطيس كنندگي و جريان باشد. بنابراين اين سنسورهاي موقعيت سنجي درناحيه اشباع عمل مي كنند. رخلاف سنسورهاي اثرهال كه نياز به ميدان مغناطيسي درحد كيلوگارس نياز دارند، AMR به اين شدت ميدان مغناطيسي نيازي ندارد. با استفاده از چند سنسور خاصيت براحتي افزايش مي يابد. براي توضيح كاربرد ها ، از دو سنسور صنعتي شركت Honeywellبا نامهاي برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام و برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام مي كنيم . سنسورهاي HMC1501 و HMC1512 به ترتيب داراي مقاومت 5 و 2.1 كيلواهم در مدار پل مي باشند. ضريب حساسيت آنها بين مي باشد. ( در ناحيه خطي عملكرد) ولتاژ خروجي تقريباً ±120mv مي باشد. پهناي باند درحدود 5MHZ مي باشد. HMC1501 دسته ازموقعيت سنجهاي AMR هستند كه داراي يك پل وتستون براي موقعيت سنجي مي باشند خروجي مدار پل به شرح زير است: HMC1512 دسته اي ديگر از موقعيت سنجهاي AMR است كه داراي دو پل وتستون براي رنج مي باشد. كه خروجي هر يك از مدارهاي پل بصورت و مي باشد. رزولوشن و رنج كاري هريك در Datasheetآمده است. كاربردهاي خطي دياگرام زير 2 دوره متناوب از خروجي مدار پل را نشان مي دهد، ناحيه خطي در بازه اي در اطراف زواياي 180-،90-،0،90،180 درجه قرار دارد. در نقاط 0 و شيب مثبت و در بقيه شيب منفي است. خروجي سنسورهاي موقعيت AMR نيازمند مدار بهسازي است. چنانچه تغييرات دمايي زياد باشد بايد از جبرانساز دمايي نيز استفاده نماييم. همينطور اگر از چند مدار پل استفاده نماييم، خطاي ديگري كه بايد آنرا بطريقي جبران نماييم تلورانس بخش به بخش در مواد است. شكل زير يكي از كاربردهاي موقعيت سنجي خطي را نشان ميدهد. IC بكار گرفته شده HMC1501 است كه داراي يك مدار پل مي باشد و مي تواند را در رنج تغييرات خطي تعيين كند. با فرض منبع تغذيه 5 ولت اين سنسور دربازه ميلي ولت تغييرات ولتاژ خواهد داشت. شكل موج خروجي بر حسب زوايه q در زير‌آمده است. شكل زير يك تقويت كننده ابزار دقيق را نشان مي دهد. يك تقويت كننده تفاضلي وانتگرالي. گين ولتاژ اين تقويت كننده تقريباً 25 ولت است. بنابراين مقدار پيك - پيك خروجي را از 120 ميلي ولت به 3 ولت تغيير مي دهد. ضريب ولتاژ آفست مدار پل و با منبع تغذيه 5 ولت آفست مدار پل 35mV خواهد بود كه در نهايت با وجود تقويت كننده به ±850mv خواهدرسيد. بنابراين بايد بگونه اي آفست مدار را تضعيف نمود. يك روش براي مقابله با آفست مدار تغيير زمين مدار با استفاده از يك پتانسيومتر مي باشد. روش ديگري براي حذف خطاي آفست وجود دارد و آن اين است تا بوسيله آزمايش كاليبراسيون مقدار خطا را بدست آورده و از مقدار نهايي كم كنيم. اين عمل با كاهش متعلقات مدار بهسازي از افزايش حجم، قيمت و تاثير نويز جلوگيري مي كند. ولي از آن جهت كه طراح را مجبور مي كند تا بهره تقويت كننده را جهت تعادل در آفست و ضريب حساسيت كاهش دهد چندان جالب نمي باشد. جهت افزايش رنج موقعيت سنجي از به از 2 سنسور HMC1501 و يا يك سنسور HMC1512 (با 2 مدار پل) استفاده مي كنيم. براي افزايش رنج اندازه گيري موقعيت خطي معمولاً از چند سنسور استفاده مي كنيم. جهت افزايش ويژگي خطي سيستم معمولاً رنج خطي هر سنسور را كمتر از حد نامي در نظر مي گيرند. به خاطر داريم كه براي موقعيت سنج خطي مي بايست AMR در ناحيه اشباع قرار گيرد. بنابراين فاصله آهنرباي متحرك از مقابل سنسورها بازاي ميدان يك كيلو گاوسي حداكثر 25/0 اينج خواهد بود كه با افزايش فاصله به 5/0 اينج ميدان مي بايست به حدود 3 كيلوگاوس افزايش يابد. همانطور كه در شكل زير مشخص است با عبور آهنربا از مقابل سنسورها بازاي 4 سنسور 4 موج بوجود خواهد آمد. بازاي يك موقعيت سنج 2 اينچي نمودار تغييرات ولتاژ خروجي برحسب موقعيت براي يك سنسور و 4 سنسور رسم شده است. رزولوشن براي اين سنسور در حدود 002/0 اينچ است و دقت در حدود %0.1 مي باشد. در حاصل از هر مدار پل سنسور، بايد بدانيم كه هر سنسور جهت حذف خطاي آفست واندازه گيري ولتاژ پيك-پيك خروجي كاليبره شده است تا خروجي نهايي در يك رنج مشابه تنظيم گردد. پس از كاليبراسيون ولتاژ خود را تشكيل مي دهد و عمل مقايسه ما بين ولتاژهاي خروجي تصحيح شده انجام مي شود و شيب هايي را در ميان سنسورهاي مجاور هم توليد مي كند. درنهايت تنها از شيب هاي مثبت استفاده مي شود (رنج خطي هر سنسور) و مقدار كوچك برشيب يا شيب هاي مثبت قرار داده مي شود. با فرض اينكه هر سنسور به يك ميكروكنترلر 8 بيتي متصل باشد، مي تواند 256 نقطه را براي رنج خطي خود در نظر بگيرد. بنابراين براي كل رنج 1024 نقطه خواهيم داشت. براي افزايش رنج موقعيت سنجي خطي روش ديگري مطرح است. شكل زير كاربرد خطي را نمايش مي دهد. دو آهنربا را نشان مي دهد كه نسبت به هم در وضعيت ناموازي قرار گرفته اند و در فاصله ميان آنها سنسور در طول دوآهنربا حركت مي كند. در موقعيت هاي نزديك زوايه شار روبه پايين است و در فاصله هاي دور زاويه شار رو به بالا قرار دارد. بنابراين با يك سنسور AMR مي توان موقعيت سنجي نمود. در اين حالت هم آهنربا، هم سنسور مي توانند نسبت به هم حركت كنند. كاربرد هاي زاويه اي شكل زير يك آهنرباي متصل به انتهاي شفت را نشان مي دهد كه در برابر يك سنسور HMC1512 قرار گرفته است. زماني كه شفت مي چرخد دو ولتاژ سينوسي وكيسنوسي در خروجيهاي سنسور قرار مي گيرد. پس از حذف ولتاژ آفست با تقسيم خروجيها برهم توسط ميكروكنترلر خواهيم داشت: باتوجه به ويژگي q كه تابعي از معكوس تانژانت است حالت زير رخ مي دهد: شكل زير مدار ارتباطي با ميكروكنترلر را نشان مي دهد. توجه داريم كه چنانچه زوايه چرخش بيشتر از ±90° باشد با ز هم خروجي برمبناي ورودي محدود خود تعيين مي شود يعني خروجي هيچگاه از بازه ±90° خارج نمي شود. چنانچه انتهاي شفت قابل استفاده يا در دسترس نباشد از يك آهنرباي حلقه اي با قطب هايي كه بصورت قطاع قرار گرفته اند. شكل زير از يك آهنربا و دو سنسور HMC1501 تشكيل شده است. اين روش نمي تواند تمام محيط شفت را در برگيرد () و در عين حال بايد محافظتي از ميدان مغناطيسي موتور نيز در نظرگرفته شود. نكته ديگري كه بايد در نظر گرفت اين است كه تداخلي در موقعيت دو سنسور وجود دارد تا اينكه يك يا هر دو به اشباع برسند. براي ايجاد حسگر چرخشي 360 درجه از يك سنسور HMC1512 به همراه سنسور هال استفاده مي كنيم. سنسورهاي هال براي موقعيت سنجي دقيق و حساس پيشنهاد نمي گردند. در اين روش از آنها جهت تعيين پلا ريته كه كدام نيمه از سنسور AMR در مقابل آهنربا مي باشد، استفاده مي شود. وقتي كه آهنرباي متصل به شفت بدور سنسورهاي هال و AMR مي چرخند، پلاريته ولتاژ سنسور اثرهال تغيير مي كند. با به بكاربردن يك مدار مقايسه گر درخروجي سنسوراثرهال، موقعيت، تبديل به 2 حالت 180 درجه مي شود كه با موقعيت سنجي از سنسور AMR يك موقعيت سنجي خواهيم داشت. براي حالت زوايه اي شكل زير 2 آهنرباي حلقه اي كه به يك شفت قرار گرفته اند را نشان مي دهد. آهنربا ها بصورت غير هم مركز با شفت قرار گرفته اند. هر آهنربا با ديگري 180° فاصله از مركز دارد. 2 موقعيت سنج به گونه اي قرار گرفته اند.تا 360 درجه چرخش را پوشش دهد. Vehicle detection ميدان مغناطيسي زمين در يك سطح وسيع (چند كيلومتر مربع) يكنواخت است. مطابق شكل زير يك شي مغناطيسي آشفتگي موضعي در ميدان زمين ايجاد مي كند. سنسورهاي AMR تغييرات و آشفتگي ميدان زمين را احساس مي كند. يك سنسور يك محوره AMR مي تواند حضور يا عدم حضور اتومبيل را تا فاصله 15متري، وابسته به جنس، درك كند. از اين ويژگي در پاركينگ ها جهت در اختيار قراردادن راننده از فضاهاي كافي استفاده مي شود. كاربرد ديگري در كنترل ترافيك، وجود دارد كه معمولاً 3 سنسور AMR را در يك مسير باريك قرار مي دهند. ا ين سنسورها زماني كه وسيله نقليه اي از بالاي آنها عبور كند سيگنال هايي را ايجاد مي كند. قطب نماي الكتريكي با استفاده از AMR ميدان مغناطيسي زمين در حدود 0.5 تا 0.6 گوس مي باشد و تقريباً موازي سطح زمين است و هميشه درجهت قطب جنوب مي باشد. اينها اساس قطب نماها مي باشند. AMR گزينه مناسبي براي قطب نماست، چون رنج حساسيت آن در بزرگي ميدان زمين متمركز است. 3 لینک به دیدگاه
Mehdi.Aref 26780 مالک اشتراک گذاری ارسال شده در 26 آبان، ۱۳۸۹ سنسورهاي مگنتورزيستيو Magnetoresistive sensors انواع و نمونه ها AMRها توسط شركت هاي فيليپس Honeywell , Hlplanar , Philips توليد مي شوند. در ادامه از شركت Honeywell برخي از توليدات در زمينه هاي جهت يابي، كنترل ترافيك، GPS و موقعيت سنجي خطي و زاويه اي آمده است. برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 2.96 MB برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 323K برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 465K برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 1.08 MB Revised October 2003 برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 406 KB برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 86K برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 524K برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 297K New June 2003 برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 107K برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 380K New Jan 2002 برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 2198K برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام 307K Revised January 2003 4 لینک به دیدگاه
ارسال های توصیه شده