جستجو در تالارهای گفتگو

نانولوله های ساخته شده از طلا می تواند مانع از ابتلا به آنفلوآنزا شود پژوهشگران دانشگاه بوفالو و مرکز کنترل و پیشگیری امراض آمریکا دریافته‌اند که در آینده می‌توان با استفاده از فناوری نانو برای مقابله با ویروسهای عامل همه‌گیری آنفلوآنزا از جمله آنفلوآنزای نوع «آ» استفاده کرد. به گزارش خبرنگار سایت پزشکان بدون مرز به نقل از دیلی اکسپرس ، این دانشمندان دریافته‌اند که نانومیله‌هایی از جنس طلا می‌توانند در زمینه مقابله با ویروسهای مختلف آنفلوآنزا موثر و کارآمد باشند. محققان می‌گویند: این کشف مشترک می‌تواند به تولید نسل جدیدی از داروهای ضد ویروسی برای درمان این بیماریهای مهاجم و طیف گسترده‌ای از بیماریهای عفونی کمک کند. کشف جدید بویژه برای بیماریهای کارایی خواهد داشت که در برابر داروهای معمول مقاوم هستند. این نانومیله‌های طلا که ساخت دانشمندان دانشگاه بوفالو هستند مانند وسایل نقلیه موثری عمل می‌کنند که مولکول قدرتمند فعال کننده سیستم ایمنی بدن را وارد سلولها می‌کنند. مزیت اصلی این نانومیله‌ها این است که طلا خاصیت سازگاری زیستی دارد. نانومیله‌های طلا مانع از این می‌شوند که مولکول وراثتی دی ان آ به هنگام ورود به درون سلول تخریب شود. شرح این یافته در نشریه پیشرفتهای آکادمی ملی علوم منتشر شده است.

مهندسین آمریکایی اولین ترانزیستور سرعت بالا را از نانولوله‌های کربنی ساخته‌اند. پیتر برک و همکارانش در دانشگاه کالیفرنیا (در ایروین) نشان دادند که وسیله آنها (یک نانولولة تک‌دیواره که به صورت ساندویچ، بین دو الکترود طلا قرار گرفته است) ‌در فرکانس‌های میکروویو بسیار سریع کار می‌کند. نتیجه حاصل،‌ گامی مهم در تلاش برای تولید اجزاء نانوالکترونیک است که می‌تواند جایگزین سیلیکون در کاربردهای الکترونیکی متعدد شود. امروزه مدارهای میکروالکترونیکی متداول، کوچک و کوچک‌ترشده، به نظر می‌رسد که طی دهة آینده به محدودیت‌های ناشی از خواص بنیادی سیلیکون برسند. خواص نیمه‌رسانایی نانولوله‌های کربنی، آنها را به جایگزینی مطمئن برای سیلیکون تبدیل می‌کند. هم‌اکنون این نانولوله‌ها در ساخت اجزاء الکترونیکی متعددی از جمله دیودها و ترانزیستورهای اثر میدانی به کار برده می‌شوند. ترانزیستورهای معمولی سه ترمینال دارند: الکترودهای سورس 1، درین 2 و گیت 3. الکترود گیت، چگالی الکترون‌ها را در ناحیه کروی ترانزیستور که معمولاً از مواد نیمه‌رسانا ساخته می‌شود، کنترل می‌نماید. تصویر SEM از نانولوله تک دیواره نیمه‌هادیS Li et al. 2004 Nano Lett. 4 753چنانچه چگالی الکترون بالا باشد، جریان از سورس به درین می‌رود و اگر چگالی پائین باشد، جریانی برقرار نمی‌شود. این خاصیت سبب می‌شود تا ترانزیستور همانند سوئیچ تبدیل عمل نماید. برک و همکارانش ترانزیستورهای خود را با قراردادن یک نانولوله تک‌دیواره به صورت ساندویچی بین الکترودهای طلائی سورس و درین (به شکل رجوع کنید) ساختند. هنگامی که آنها ولتاژ گیت را تغییر دادند، دریافتند که این مدار با فرکانس 6/2 گیگا هرتز کار می‌کند. این به معنای خاموش و روشن‌شدن (قطع و وصل) جریان در حدود 1/0 نانوثانیه است که باعث شده است تا این وسیله سریع‌ترین ترانزیستور نانولوله‌ای ساخته‌شده تاکنون باشد. در حال حاضر، این وسیله در دمای 4 درجه کلوین کار می‌کند. اما برک مطمئن است که می‌توان آن را طوری ساخت که در دمای اتاق کار کند. به‌علاوه او معتقد است که این ترانزیستور را می‌توان به نحوی ساخت که حتی در فرکانس‌های بالاتر نیز کار کند. وی می‌گوید: "تخمین من برای حد سرعت نظری این ترانزیستور1012 هرتز (تراهرتز) است که 1000 برابر سریع‌تر از سرعت رایانه‌های جدید می‌باشد.