جستجو در تالارهای گفتگو

این مقاله در مورد آشنایی با مدولاسیون های ppwm , spwm و pwm می باشد که به صورت PDF تهیه شده است. امیدوارم به دردتون بخوره. دانلود مقاله

خانواده مدارهاي مجتمع ديجيتال: مدارهاي ديجيتال بلااستثناء با آي سي ها ساخته مي شوند . گيت هاي آي سي ديجيتال نه تنها بر اساس عمل منطقي شان بلكه با توجه به خانواده اي از مدارهاي منطقي كه به آنها تعلق دارند نيز دسته بندي مي شوند . هر خانواده منطقي داراي مدار الكترونيكي پايه مختص به خود بوده و ساير توابع و مدارات پيچيده ديجيتال با استفاده از آنها ساخته مي شوند. مدار پايه در هر خانواده ، گيت NAND يا NOR است . قطعات الكترونيك به كار رفته در ساختمان مدارات پايه معمولأ جهت نام گذاري خانواده منطقي بكار مي روند . انواع متفاوتي از خانواده هاي آيسي هاي ديجيتال در بازار موجودند كه مشهورترين آنها در زير ليست شده اند: Trar sistor-transistor logic : TTL ECL : Emitter-coupled logic MOS : Metal-oxide semiconductor CMOS : Complementary metal-oxide semiconductor TTL كه امروزه متداول ترين خانواده مي باشد بطور گسترده اي در توليد انواع توابع ديجيتال بكار گرفته شده است . ECL در سيستم هاييكه نياز به سرعت بالا دارند بكار مي روند. MOS و IIL در مدارهايي كه مستلزم چگالي قطعه بالايي هستند و CMOS در مواقعي كه توان مصرفي سيستم پايين باشد مورد استفاده مي شود . چون ساخت ترانزيستور در خانواده MOS و IIL داراي چگالي بالايي است لذا اين دو خانواده اغلب در توابع LSI بكار مي روند . سه خانواده ديگر ،TTL ،ECL ، CMOSداراي قطعات LSI بوده و همچنين تعداد زيادي از قطعات MSIو SSI نيز از آنها استفاده مي شوند. قطعات SSI عبارتند از تعداد قليلي گيت ها يا مدارات فليپ فلاپ در يك بسته آي سي . محدوديت در تعداد مدارهاي قطعات SSI در حقيقت تعداد پايه هاي بسته بندي است . مثلأ يك بسته چهارده پايه تنها مي تواند چهار گيت دو ورودي را در خود جاي دهد زيرا هر گيت نياز به سه پايه دارد كه دو تاي آنها متعلق به ورودي و سومي متعلق به خروجي است . جمع اين پايه ها براي چهار گيت دوازده خواهد بود . و دو پايه باقي مانده ، مورد نياز تغذيه مدار مي باشند . آي سي هاي TTL معمولأ با سري شماره هاي 5400 و 7400 شناخته مي شوند . نوع اول محدوده گرمايي گسترده تري در عمل دارند و براي صنايع نظامي مناسبند ، و گروه دوم داراي محدوده گرمايي كمتري بوده ودر صنعت بكار مي روند . سري 7400 بدان معني است كه بسته بندي ها با اعداد 7400 ،4701 و 7402 شماره گذاري مي شوند . برخي از سازندگان ، TTL ها را با شماره هاي متفاوت ديگري مانند سري 9000 و 8000 در دسترس قرار مي دهند

همانطور که هادی ها در صنعت امروزی به خصوص در زمینه های حرارتی و برودتی کاربردی ویژه یافته اند عناصر نیمه هادی نیز اهمیت زیادی در صنعت الکترونیک و ساخت قطعات پیدا کرده اند. هدف اصلی که در الکترونیک آنالوگ دنبال می شود تقویت سیگنالها بدون تغییر شکل آن سیگنال است. همین هدف بشر را به سمت استفاده از نیمه هادی ها در ساخت قطعات تقویت کننده پیش برده است. اما آن چیزی که عملکرد این قطعات را رقم می زند چگونگی حرکت الکترون ها و حفره ها در ساختار کریستالی این عناصر می باشد. و این مقدمه ای ست برای پیدایش قطعاتی نظیر ترانزیستور ها –دیود ها و... عامل موثر بر چگونگی حرکت الکترون ها و حفرها چیزی نیست جز درجه حرارت. به طوری که گفته شد درجه حرارت صفر مطلق ساختمان کریستالی نیمه هادی هایی نظیر ژرمانیوم و سیلسکن را تحت تاثیر خود قرار می دهد. یعنی در این درجه حرارت الکترون ها کاملا در باند ظرفیت قرار گرفته و نیمه هادی نظیر یک عایق عمل می کند. (به علت اینکه هیچ الکترون آزادی در باند هدایت خود ندارد). اگر درجه حرارت افزایش یابد الکترون های لایه ظرفیت انرژی کافی کسب کرده و پیوند کو والانسی خود را شکسته وارد باند هدایت می شوند. به مراتب ای جابه جایی باعث تولید حفره ناشی از الکترون می گردد. انرژی لازم برای شکستن چنین پیوندی در سیلسکن 1.1(الکترون ولت) و در ژرمانیوم 0.72 (الکترون ولت) می باشد. اهمیت حفره در این است که نظیر الکترون حامل جریان الکتریکی بوده و و نظیر الکترون آزاد عمل می نماید. حال آنکه تا چندی پیش دانشمندان حفره ها را حامل جریام نمی دانستند! هنگامی که یک پیوند از الکترون خالی شده و حفره ای در آن به وجود می آید در این صورت الکترون های ظرفیت اتمهای مجاور در باند ظرفیت به سادگی قادر به اشغال این حفره هستند. الکترونی که از یک پیوند کووالانسی دیگر این حفره را اشغال می کند خود یک حفره بر جای می گذارد. بنابر این می توان به جای حرکت الکترون های باند ظرفیت تصور نمود که در این باند حفره ها حرکت می نمایند. حرکت حفره ها بر خلاف حرکت الکترو نها می باشد. حفره جدیدی که به وجود می آید به نوبه خود توسط الکترون دیگری از پیوندی دیگر اشغال شده و بنابراین حفره پله به پله بر خلاف جهت الکترون حرکت می نماید. پس در اینجا با پدیدهی دیگری از هدایت الکتریکی روبه رو خواهیم بود که مربوط به الکترون های آزاد نمی باشد. در این صورت می توان چنین تصور کرد که حفره در جهت عکس الکترون حرکت نموده است . بنابراین حرکت الکترون در باند ظرفیت را می توان معادل حرکت حفره در خلاف جهت آن دانست. حال میبینیم که چرا با توجه به اینکه حرکت الکترون همان حرکت حفره است از مفهمم حفره استفاده می شود. !با کمی دقت ملاحظه می شود که حرکت حفره حرکت الکترون های باند ظرفیت بوده ولی حرکت الکترون های آزاد در باند هدایت صورت می گیرد و برای بیان این تفاوت بین حرکت الکترون در باند ظرفیت و هدایت از مفهوم حفره کمک می گیریم. به عنوان مثال فرض می شود که نیمه هادی تحت تاثیر یک میدان خارجی قرار گیرد یعنی به دو سر آن ولتاژی اعمال شود در ایک صورت الکترون های آزاد باند هدایت که تحت تاثیر نیرو های هسته ای اتم ها نیستند در این باند در خلاف جهت میدان اعمال شده حرکت خواهند نمود. انرژی این الکترون ها در جهتی نیست که در باند هدایت قرار گیرد. ولی می توانند در همان باند ظرفیت حرکت کرده و حفره های مجاور خود را اشغال نمایند. بنابر این حرکت این الکترون ها بیشتر از الکترو ن های آزاد به هسته وابسته می باشد. در حقیقت برای هر ولتاژ اعمال شده به دو سر یک نیمه هادی یک الکترون در باند ظرفیت فاصله متوسط کو تاهتری از الکترون های باند هدایت را در فاصله زمانی یکسان طی خواهند نمود. بنابر این می توان گفت که الکترون های آزاد دارای تحرک بیشتری نسبت به حفره ها هستند. به طوری که گفته شد در درجه حرارت معمولی اتاق تعدادی از پیوند های کو والانسی شکسته سده به ازای شکسته شدن هر پیوند یک الکترون-حفره تولید می شود. الکترون و حفره هر دو حامل های بادار می باشد. با اعمال یک پتانسیل الکتریکی به دو سرهر قطعه ای نیمه هادی این حامل هر دو حرکت نمود ه و جریان به وجود می آورند. دیدید که این حرکت ها در چگونکی رفتار یک نیمه هادی تا چه میزان می توانند موثر باشند.با پیشرفت علم و تکنولوژی استخراج کشف هر نیمه هادی جدیدی انقلابی عظیم در عصر ارتباطات حاصل می شود.