رفتن به مطلب

جستجو در تالارهای گفتگو

در حال نمایش نتایج برای برچسب های 'ساخت اولین مدار مجتمع گرافنی'.

  • جستجو بر اساس برچسب

    برچسب ها را با , از یکدیگر جدا نمایید.
  • جستجو بر اساس نویسنده

نوع محتوا


تالارهای گفتگو

  • انجمن نواندیشان
    • دفتر مدیریت انجمن نواندیشان
    • کارگروه های تخصصی نواندیشان
    • فروشگاه نواندیشان
  • فنی و مهندسی
    • مهندسی برق
    • مهندسی مکانیک
    • مهندسی کامپیوتر
    • مهندسی معماری
    • مهندسی شهرسازی
    • مهندسی کشاورزی
    • مهندسی محیط زیست
    • مهندسی صنایع
    • مهندسی عمران
    • مهندسی شیمی
    • مهندسی فناوری اطلاعات و IT
    • مهندسی منابع طبيعي
    • سایر رشته های فنی و مهندسی
  • علوم پزشکی
  • علوم پایه
  • ادبیات و علوم انسانی
  • فرهنگ و هنر
  • مراکز علمی
  • مطالب عمومی

جستجو در ...

نمایش نتایجی که شامل ...


تاریخ ایجاد

  • شروع

    پایان


آخرین بروزرسانی

  • شروع

    پایان


فیلتر بر اساس تعداد ...

تاریخ عضویت

  • شروع

    پایان


گروه


نام واقعی


جنسیت


محل سکونت


تخصص ها


علاقه مندی ها


عنوان توضیحات پروفایل


توضیحات داخل پروفایل


رشته تحصیلی


گرایش


مقطع تحصیلی


دانشگاه محل تحصیل


شغل

  1. پژوهشگران IBM اولین مدار گرافنی را که تمام عناصر مداری آن در یک تراشه واحد فشرده مجمتع شده‌اند، ساختند. این مدار جدید گام مهم دیگری به سوی الکترونیک گرافنی و کاربردهای بالقوه آن مانند مخابرات و تقویت‌کننده‌های بی‌سیم هموار می‌کند. به گزارش سرویس علم و فن آوری پایگاه اطلاع رسانی صبا به نقل از نانو، علی رغم پیشرفت‌های زیاد در سال‌های اخیر، اجتماع ترانسیستورهای گرافنی با سایر مولفه‌ها بر روی یک تراشه هنوز یک چالش است. علت اصلی آن در این است که گرافن چسبندگی خوبی به فلزات و اکسیدهایی که به‌طور متداول در فرآیندهای ساخت نیمه‌رسانا استفاده می‌شوند، ندارد. عکس یک مدار مجتمع گرافنی که نشان‌دهنده القاگرها، که به صورت دو ساختار مربعی بزرگ در قسمت چپ و راست بالا مشخص هستند، می‌باشد. ترانسیستور اثر میدانی، همان ساختار ریزی است که در مرکز عکس واقع شده است. هماکنون بنظر می‌آید که فائدون آووریس و همکارانش از IBM با مدار مجتمع جدیدشان که از یک ترانسیستور گرافنی و یک جفت القاگری که به طور فشرده روی یک ویفر کاربید سیلکونی (SiC) مجتمع تشکیل شده است، بر این مشکل غلبه کرده باشند. فرآیند ساخت در مقیاس ویفری که این گروه ارائه کرده است، با روش‌های ساخت متداول نیمه‌رساناها سازگار است و می‌تواند در تولید انبوه مدارها استفاده شود. این پژوهشگران گرافن خود را با واجذبی ("Desorption") سیلیکون از ویفر SiC سنتز کردند، تا لایه‌های گرافنی یکنواخت بر روی سطح SiC عایق ایجاد کنند. سپس آنها با استفاده از لیتوگرافی باریکه الکترونی کانال‌های ترانسیستوری را تعریف کرده و با استفاده از پلاسمای اکسیژن، گرافن را از درون نواحی کانال خارج کردند. القاگرها با لیتوگرافی باریکه الکترونی تعریف شده و با رسوب آلومینیوم فلزی با ضخامت میکرونی بر روی ویفرها تشکیل شدند. سرانجام، یک لایه دی اکسید سیلیکون به ضخامت 120 نانومتر، که با تبخیر باریکه الکترونی رسوب‌دهی شده است، برای جداکردن حلقه‌های القاگر از اتصالات فلزی زیرین استفاده می‌شود. یو مینگ لین که یکی از اعضای این گروه است، می‌گوید که این مدارها در "مخلوط کن های" رادیوفرکانس تا 10 GHz کار می‌کنند. مخلوط‌کن، همان‌طور که از نامش پیداست، سیگنال‌های خروجی با فرکانس‌های مخلوط تولید می‌کند و یک عنصر اساسی در اکثر سیستم‌های مخابراتی است. در این افزاره، پژوهشگران مذکور دو سیگنال پرفرکانس به درگاه و خروجی مدار گرافنی اعمال می‌کنند. ترانسیستور گرافنی با هردو فرکانس مدوله می‌شود و جریان خروجی ایجاد می‌کند که شامل فرکانس‌های مخلوط است. این محققان جزئیات نتایج کار تحقیقاتی خود را در مجله‌ی Science منتشر کرده‌اند.
×
×
  • اضافه کردن...