z.b 6335 اشتراک گذاری ارسال شده در 14 دی، ۱۳۹۲ محققان با استفاده از دوغاب حاوی نانوذرات اکسید آهن و میدان مغناطیسی موفق به ارائه روش خنکسازی کارایی شدند. این روش نسبت به آب معمولی 300درصد عملکرد بهتری دارد. سیستمهای خنککننده وابسته به پمپاژ آب بوده به طوری که در آنها آب، گرما را از نقطه گرم خارج میکند. اخیرا محققان استرالیایی و آمریکایی روشی ارائه کردهاند که با استفاده از آن میتوان به طور موثری مانع از کار افتادن دستگاهها در اثر گرم شدن شد. در این روش از میدان مغناطیسی و نانوذرات برای خنک کردن استفاده میشود. این گروه تحقیقاتی نتایج یافتههای خود را در قالب مقالهای در نشریه Mass Transfer به چاپ رساندند. لین ون هو و همکارانش از یک دوغاب حاوی نانوذرات مغناطیسی اکسید آهن برای انتقال گرما استفاده کردند، این دوغاب توسط میدان مغناطیسی کنترل میشود. نانوذرات موجود در این نانوسیال قادر است تا گرما را با کارایی بالاتری به بیرون از سیستم هدایت کند. این دوغاب نسبت به آب معمولی 300درصد کارایی بالاتری دارد. در روشهای رایج، برای این که انتقال گرما بهتر انجام شود روی سطح سیستم خنککننده شیارهایی ایجاد میشود که این کار مساحت سطحی را به میزان قابل توجهی افزایش میدهد. هر چند این کار کارایی انتقال گرما را افزایش میدهد اما هزینه تولید سیستم خنککننده را افزایش داده و از سوی دیگر از نظر کارایی قابل مقایسه با این روش جدید نیست. هو میگوید: این ایده قبل از این هم مطرح شده بود اما هیچگاه عملیاتی نشده بود. این اولین باری است که ما بهصورت عملی آن را اجرا کردیم. این روش برای همه دستگاهها قابل انجام نیست اما در دستگاههایی که دارای نقطه داغ در نزدیکی سیستم خنککننده هستند، میتواند بسیار مفید باشد. از این رو ما دوغابی حاوی نانوذرات آماده کرده و با استفاده از میدان مغناطیسی آن را نزدیک نقطه داغ بردیم و گرما با این کار، از دستگاه خارج شد. این روش میتواند کاربردهای متعددی داشته باشد برای مثال از آن میتوان برای خنک کردن تراشهها استفاده کرد. این سیستم بسیار نوپا بوده و با تحقیقات بیشتر میتوان عملکرد این روش را بهبود داد. در این پروژه توماس مککرل از MIT، الهام درودچی، بهداد مقتدری و رضا عزیزیان از دانشگاه نیوکسل برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام همکاری داشتهاند. منبع : برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید. ورود یا ثبت نام ؛ ستاد ویژه توسعه فناوری نانو 1 لینک به دیدگاه
ارسال های توصیه شده