ayhan 2309 اشتراک گذاری ارسال شده در 2 تیر، ۱۳۸۹ > خلاصه : يک ميکروسکوپ نيروي اتمي مي‌تواند جهت ايجاد ترانزيستورهاي اثر ميدان در مقياس نانومتري و همچنين ساير دستگاه‌هاي الکترونيکي در فصل مشترک بين اکسيد فلزات به کار برده شود. مواد اکسيدي داراي گستره وسيعي از خواص متغيير مثل پيزوالکتريسيته و فروالکتريسيته، مقاومت مغناطيسي زياد و فرو مغناطيس هستند. در حال حاضر که توليد نمونه‌هايي با کيفيت بالا از لايه‌هاي بسيار نازک اکسيدهاي مختلف ممکن شده است، اين مواد قسمت مهم بسياري از دستگاه‌هاي الکترونيک جديد به شمار مي‌روند. جرمي لوي و همکارانش در دانشگاه پيتسبورگ و دانشگاه آگسبورگ نشان داده‌اند که خواص الکترونيکي در فصل مشترک چنين ساختارهاي چندگانه‌اي مي‌تواند با دقت و ظرافت در مقياس نانو کنترل شود. متن اين مقاله به صورت pdf قابل دريافت مي باشد( ) 2 لینک به دیدگاه
ارسال های توصیه شده