رفتن به مطلب

جزوه درس طراحی سامانه های vlsi


ارسال های توصیه شده

جزوه درس طراحی سامانه های VLSI دانشگاه صنعتی امیرکبیر را برای شما آماده کرده ایم که امیداست مورد توجه دوستان قرار بگیرد.

 

فهرست مطالب

فصل اول: مقدمه

چیستی و اهمیت فن آوری VLSI

تاریخچه فن آوری VLSI

فن آوری CMOS به عنوان اصلی ترین محرک توسعه فن آوری مدار های مجتمع

مقیاس تراکم ترانزیستور ها در مدار های مجتمع

عوامل موثر در توسعه گسترده فن آوری طراحی مدار های مجتمع دیجیتال

مروری بر مطالبی که در این درس ارایه می شود

ارایه تصویر کلی از موضوعات درس در قالب یک مثال )تکمیلی

شاخص های مهم در ارزیابی مدار های VLSI

قیمت

سرعت یا کارایی

قابلیت اعتماد

مصرف توان و انرژی

فصل دوم : فن آوری ساخت و جانمایی مدار های VLSI

مقدمات ساخت مدار های مجتمع

ویفر سیلیکان

(clean room) اطاق تمیز

فن آوری های پایه مورد استفاده در ساخت

فتولیتوگرافی

(Diffusion and Ion Implantation) نفوذ و کاشت یونی

(oxidation) اکسیداسیون

(deposition) لایه نشانی

(etching) لایه برداری

(planarization) تسطیح

فرآیند ساخت CMOS

N-WELL : گام فتولیتوگرافی اول

گام فتولیتوگرافی دوم: ناحیه فعال

مرحله تشکیل گیت ترانزیستور ها

نواحی سورس و درین ترانزیستور های NMOS

نواحی سورس و درین ترانزیستور های PMOS

مرحله ایجاد پنجره کنتاکت های اتصال به ترانزیستور ها

مرحله ایجاد اتصال میانی با لایه فلز

جانمایی مدار های مجتمع

لایه های مورد استفاده در جانمایی

بر قراری اتصال بین لایه ها

قواعد طراحی

نمونه های از قواعد طراحی

جانمایی ترانزیستور

تولید بدون کارخانه

بسته بندی مدار های مجتمع

پیوست فصل دوم: تعدادی از قواعد طراحی شرکت [2] MOSIS

فصل سوم : مدل ترانزیستور MOSFET

یادآوری پیوند P-N

ساختار و عملکرد ترانزیستور MOSFET

ولتاژ آستانه ترانزیستور

هدایت کانال در ناحیه خطی

هدایت کانال در ناحیه اشباع

اثر مدولاسیون طول کانال

هدایت کانال کوتاه و اشباع سرعت

مدل ساده کانال کوتاه با تقریب برای تحلیل دستی

مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور MOS

هدایت زیر آستانه

مدل یکپارچه و ساده برای تحلیل دستی

مدل دیجیتال ترانزیستور

مدل سوییچ مقاومتی در تحلیل پویای مدار های دیجیتال

خازن های ساختارMOS

خازن های پیوند و تحلیل با نرم افزار BSIM3V 4.9 مدلHSPICE

فصل چهارم : وارونگر CMOS

تحلیل ایستای وارونگرCMOS

عملکرد وارونگر

مشخصه انتقالی وارونگر

تحلیل پارامتری ولتاژ آستانه سوییچینگ

تحلیل پارامتری حاشیه نویز

نکات تکمیلی

تحلیل پویای وارونگر CMOS

محاسبه مولفه های خازن بار

تحلیل تاخیر انتشار

بررسی تاثیر پارامتر های طراحی روی تاخیر دریچه وارونگر

طراحی وارونگر با هدف بهینه کردن تاخیر

تاثیر تغییر اندازه ترانزیستور های وارونگر به یک نسبت روی تاخیر

سایز بندی زنجیره وارونگر ها

انتخاب تعداد طبقات در زنجیره وارونگر ها

انرژی و توان مصرفی در وارونگر CMOS

تلفات پویای ناشی از سوییچینگ خازنها

تلفات پویای ناشی جریان مستقیم در زمان سوییچینگ

تلفات ایستا

معادله کامل توان

EDP: Energy Delay Product حاصلضرب انرژی در تاخیر

نحوه محاسبه توان در نرم افزار HSPICE

تاثیر کاهش مقیاس فن آوری روی وارونگر CMOS

مراجع

برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید.

لینک به دیدگاه
  • 4 ماه بعد...
  • 2 ماه بعد...
  • 6 ماه بعد...

به گفتگو بپیوندید

هم اکنون می توانید مطلب خود را ارسال نمایید و بعداً ثبت نام کنید. اگر حساب کاربری دارید، برای ارسال با حساب کاربری خود اکنون وارد شوید .

مهمان
ارسال پاسخ به این موضوع ...

×   شما در حال چسباندن محتوایی با قالب بندی هستید.   حذف قالب بندی

  تنها استفاده از 75 اموجی مجاز می باشد.

×   لینک شما به صورت اتوماتیک جای گذاری شد.   نمایش به صورت لینک

×   محتوای قبلی شما بازگردانی شد.   پاک کردن محتوای ویرایشگر

×   شما مستقیما نمی توانید تصویر خود را قرار دهید. یا آن را اینجا بارگذاری کنید یا از یک URL قرار دهید.

×
×
  • اضافه کردن...